红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺的应用
日期：2024-04-27 05:32
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摘要：
红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺的应用
------功率器件散热问题的解决方案
随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，如何降低电子电器产品的高能耗成为眼下的热点话题之一。而要想实现家用电器等电子电器产品的节能降耗，功率半导体是不可或缺的元器件产品，如IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和FRD（快恢复二极管）等均属于该领域的重要产品。作为半导体产业中仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体在降低电路损耗和提高电源使用效率中，在信息技术与先进制造之间发挥着重要的桥梁作用。
功率半导体器件正从传统的工业控制和4C领域向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业迈进。当前行业内主流公司在产品开发上越来越多体现出小型化、高可靠的特点，此外采用先进封装技术和新型SiC、GaN材料也是主要关注对象。
产品开发关注可靠性与散热性
家电中应用的功率半导体，器件小型化、更高可靠性和良好散热性将是非常重要的特性。
“如何在保证温升小（功耗小）的基础上，实现更高的能源转换效率是功率半导体技术开发的主题。”而功率半导体在家电中应用，小型化将是一个非常重要的特性。为此，很多功率半导体企业近年来在产品的小型化上，都下足了功夫。以改善关断损耗对饱和压降的折中比例，提高功率半导体的性能，减少电力损耗，达到节能效果。
1，降低热阻
（1）热阻Rth定义：器件工作时产生的热量向外界散发的能力，℃/ W。即当器件消耗掉1W功率时其自身温度升高的度数。
热阻大小是代表功率器件品质优劣的一个重要参数。
（2）降低器件发热量的三个基本途径：
A， 优化电路设计，避免器件工作时进入放大区域，减少功率损耗；
B， 提高器件散热能力，避免器件发热失效；
C， 提高器件电流性能，降低相关饱和压降。
在电路设计和芯片工艺都已经定型的条件下，提高器件散热能力是避免器件发热失效的**手段，重要途径就是尽量降低器件的热阻。
红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺上的应用----
功率器件散热问题的解决方案
------功率器件散热问题的解决方案
随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切，如何降低电子电器产品的高能耗成为眼下的热点话题之一。而要想实现家用电器等电子电器产品的节能降耗，功率半导体是不可或缺的元器件产品，如IGBT（绝缘栅双极晶体管）、MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）和FRD（快恢复二极管）等均属于该领域的重要产品。作为半导体产业中仅次于大规模集成电路的另一大分支，功率半导体在降低电路损耗和提高电源使用效率中，在信息技术与先进制造之间发挥着重要的桥梁作用。
功率半导体器件正从传统的工业控制和4C领域向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业迈进。当前行业内主流公司在产品开发上越来越多体现出小型化、高可靠的特点，此外采用先进封装技术和新型SiC、GaN材料也是主要关注对象。
产品开发关注可靠性与散热性
家电中应用的功率半导体，器件小型化、更高可靠性和良好散热性将是非常重要的特性。
“如何在保证温升小（功耗小）的基础上，实现更高的能源转换效率是功率半导体技术开发的主题。”而功率半导体在家电中应用，小型化将是一个非常重要的特性。为此，很多功率半导体企业近年来在产品的小型化上，都下足了功夫。以改善关断损耗对饱和压降的折中比例，提高功率半导体的性能，减少电力损耗，达到节能效果。
1，降低热阻
（1）热阻Rth定义：器件工作时产生的热量向外界散发的能力，℃/ W。即当器件消耗掉1W功率时其自身温度升高的度数。
热阻大小是代表功率器件品质优劣的一个重要参数。
（2）降低器件发热量的三个基本途径：
A， 优化电路设计，避免器件工作时进入放大区域，减少功率损耗；
B， 提高器件散热能力，避免器件发热失效；
C， 提高器件电流性能，降低相关饱和压降。
在电路设计和芯片工艺都已经定型的条件下，提高器件散热能力是避免器件发热失效的**手段，重要途径就是尽量降低器件的热阻。
红外显微热像仪PI450在功率器件封装检测工艺上的应用----
功率器件散热问题的解决方案
测温范围： -20℃ ～ 900℃， 热灵敏度： 0.04K / 0.08K
高分辨率： 382 x 288 像素， *快帧频： 120Hz
显微尺寸： 25μm（热场分布）, 100μm（热场温度）
光学镜头： 标准镜头、望远镜头、广角镜头可选
高分辨率： 382 x 288 像素， *快帧频： 120Hz
显微尺寸： 25μm（热场分布）, 100μm（热场温度）
光学镜头： 标准镜头、望远镜头、广角镜头可选
