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Optris红外传感器在光刻工艺中的晶圆表面非接触式测温应用

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德国Optris红外传感器在光刻工艺中的晶圆表面非接触式测温应用

将红外温度控制集成到半导体制造中

挑战
准确的温度控制在光学光刻中至关重要,以确保光刻胶的均匀涂抹、固化和图案化。温度变化会导致层厚和*终图案出现缺陷,进而对半导体性能和可靠性产生负面影响。因此,晶圆表面直接实现非接触式、**且均匀的温度测量至关重要。


解决方案
红外传感器通过非接触方式测量晶圆表面温度,为光刻工艺提供精准的实时监控。长波光谱测温技术可直接检测晶圆表面温度分布,即使在受限的制造空间内,也能确保光刻胶均匀涂布、优化固化条件,从而**提升半导体制造质量。

优点光刻胶测温

确保光刻胶厚度一致,提升图案精度和半导体可靠性。
很大限度地减少因温度变化引起的缺陷,提高整体产品产率和质量。
允许在狭窄空间内进行准确、非接触式测量,保持制造过程的完整性。
提供即时温度反馈,实现动态控制,高效稳定生产条件。
提升晶圆工艺的均匀性,显著提升吞吐量和运营效率


工艺价值


通过热均匀性控制将线宽变化减少至±0.5 nm量级
实时热漂移补偿使套刻精度提升30%以上
建立温度-固化速率数学模型,优化曝光剂量参数


温度在半导体光学光刻中的关键作用
光学光刻是用于制造集成电路的一种工艺。首先,将一种感光材料(称为光刻胶)涂在基板上。然后将包含所需图案的光掩模放置在光刻胶上方,光线穿过光掩模,暴露光刻胶的特定区域。这些暴露的区域会发生化学变化,在显影液中可溶或不溶。显影后,图案通过蚀刻、化学气相沉积或离子注入转移到基板上。
光刻涉及几个关键步骤,其中**温度和温度均匀性起着重要作用。首先,清洁晶圆并涂上一层称为光刻胶的光敏层。必须涂上这层光刻胶,然后固化以去除溶剂,这是一个对温度变化高度敏感的过程。保持均匀的温度分布对于实现均匀的层厚度至关重要。需要**了解和控制表面温度以确保一致性和质量。
光刻胶涂好并固化后,紫外光通过包含所需图案的掩模投射到晶圆上。暴露在紫外光下的光刻胶区域会发生化学变化。然后对晶圆进行显影以显示图案,并通过蚀刻去除未受保护的材料。
在整个过程中保持准确的温度控制至关重要。任何偏差都可能导致图案出现缺陷,影响*终半导体器件的性能和可靠性。因此,温度管理是光刻和整个半导体制造不可或缺的一部分。


光刻胶红外测温使用德国Optris CSmicro 红外传感器进行光刻温度控制
为了避免干扰敏感的制造过程,必须以非直接接触的方式测量晶圆的表面温度。保持均匀的温度分布对于实现光刻胶的均匀层厚度至关重要,并且必须直接在物体上测量。为此,使用具有长波光谱范围(8 µm -14 µm)的测温仪。考虑到通常狭窄的空间条件,传感器必须尽可能紧凑,以确保可以正确定位,*好垂直于晶圆表面。
CSmicro 是紧凑的红外传感器系列,具有微小的传感器头,是此应用的理想选择。CSmicro 系列由 德国Optris 制造,因其坚固的设计和高精度而脱颖而出。它具有微型传感器头,可以轻松集成到狭窄空间中,非常适合半导体制造环境。CSmicro 传感器能够测量从 -40 °C 到 1030 °C 的温度,为制造过程的各个阶段提供灵活性。
此外,CSmicro 传感器具有快速响应时间,可确保实时温度监控和控制。这种快速反馈对于保持光刻所需的严格温度公差至关重要。温度信号通过模拟信号传输到 PLC,从而可以无缝集成到现有的过程控制系统中。CSmicro 的光学元件和高质量校准可确保准确可靠的测量,有助于提高半导体制造中的工艺稳定性和产品质量。

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